亡“芯”補“烯” 為時未晚？CVD法制備石墨烯專利發展現狀及未來趨勢分析

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供稿：方象知產研究院

原標題：亡“芯”補“烯” 為時未晚？CVD法制備石墨烯專利發展現狀及未來趨勢分析

材料的發展史就是人類的發展史，材料是社會進化的里程碑、生產力的標志。作為“新材料之王”的石墨烯被稱為“黑金”，科學家甚至預言石墨烯將“徹底改變21世紀”，極有可能掀起一場席卷全球的顛覆性新技術新產業革命?！爸信d事件”后，我們必須及時提出并討論的問題就是：石墨烯產業的基礎創新是什么？我國石墨烯產業是否和芯片產業一樣存在基礎創新缺失？

石墨烯產業應從“中興事件”中吸取什么教訓？

美國一紙禁令對中興的致命打擊揭開了中國基礎創新的巨大傷疤，讓中國人感到“芯痛”。繼聲討美國挑起貿易戰、對中興“怒其不爭”、疾呼中國要發展自主可控的芯片產業后，我們可曾反思“中興事件”的深層次原因呢？基礎創新的缺失并不只存在于芯片產業，各行業都應從“中興事件”中及時吸取教訓，填補基礎創新的缺口。只有擁有自主核心技術， “中興事件”才不會在各行業反復上演，大國崛起才不會因基礎創新缺失而受挫。

提到基礎創新，就不得不提材料創新?？梢哉f，材料的發展史就是人類的發展史，材料是社會進化的里程碑、生產力的標志。作為“新材料之王”的石墨烯被稱為“黑金”，科學家甚至預言石墨烯將“徹底改變21世紀”，極有可能掀起一場席卷全球的顛覆性新技術新產業革命。世界各國高度重視并皆將石墨烯提高到空前高度，投入大量人、物、財力搶占這一戰略高地。歐盟委員會將石墨烯列為僅有的兩個“未來新興技術旗艦項目”之一。美國也將石墨烯視為同3D打印技術同等重要的支撐未來科技發展的戰略性產業。

我國石墨烯行業起步較晚，但隨著石墨烯市場的蓬勃發展，國家對石墨烯產業在政策上大力扶持，戰略上統籌規劃，各企業也積極布局、加速發展?！爸信d事件”后，我們必須及時提出并討論的問題就是：石墨烯產業的基礎創新是什么？我國石墨烯產業是否和芯片產業一樣存在基礎創新缺失？

（數據來源：方象知產研究院整理）

表1：石墨烯產業相關國家政策法規及內容

石墨烯材料的基礎創新就是要解決其優異性能從微觀尺度到宏觀尺度的應用

1、石墨烯的基本結構與性能

簡單來講，石墨烯就是單層的石墨片，是富勒烯、碳納米管和石墨等碳材料的基本構成單元。具有SP2雜化碳原子排列組成的六角形蜂巢晶格二維平面結構，理論厚度約為0.35nm。特殊結構賦予其特殊性能，石墨烯是一種典型的零帶隙半金屬材料，遷移率高達200000 cm2·V-1·s-1，即使在SiO2襯底上，其遷移率仍可高達10000~15000 cm2/·V-1·s-1，在電學領域應用具有廣闊前景。大面積的石墨烯具有優異的透光性能，對于理想的單層石墨烯，波長在400~800nm范圍內的光吸收率僅有2.3%±0.1%，反射率可忽略不計。石墨烯層數每增加一層，吸收率增加2.3%；單層石墨烯的吸收光譜在300~2500nm范圍內較平坦，只在紫外區域（約270nm）存在一個吸收峰。

因此，石墨烯不僅在可見光范圍內擁有較高的透明性，且在近紅外和中紅外波段內同樣具有高透明性，使得其在透明導電材料中的應用，尤其是窗口材料領域擁有廣闊的光學應用前景。與碳納米管、碳纖維等碳材料相似，石墨烯中單層內碳原子SP2雜化后形成了牢固的碳碳鍵，而在層間則具有范德華力與π電子的耦合作用，因此石墨烯具有出色的力學性能，其平均斷裂強度約為55 N·m-1，是普通鋼的200倍，楊氏模量可達（1.0±0.1）TPa，理想強度為（130±10）GPa。石墨烯是二維SP2鍵合的單層碳原子晶體，與三維材料不同，其低維結構可顯著消減晶界處聲子的邊界散射，并賦予其特殊的聲子擴散模式。

Balandin等人測得單層石墨烯的熱導率高達5300 W·m-1·K-1，明顯高于金剛石（1000~2200 W·m-1·K-1）、單壁碳納米管（3000~3500 W·m-1·K-1）等碳材料，室溫下是銅的熱導率（401 W·m-1·K-1）的10倍。優異的導熱性能使石墨烯在熱學領域極具發展潛力。利用單層石墨烯對質子的透過性可以應用于質子領域，可制成具有選擇透過性的膜材料等。利用石墨烯高達2630m2/g的比表面積可應用于高靈敏度傳感器等以及利用其磁性可應用于存儲信息材料領域等[1]。

然而，上述優異性能都是基于石墨烯微觀的納米尺度，難以直接利用，因此，了解如何制備石墨烯及其生長機理是研究其性質及應用的前提。只有通曉石墨烯的制備技術，才能對不同方法所得石墨烯做出合理的預期。只有將納米石墨烯組裝形成宏觀材料，同時保持其納米效應才是石墨烯規?；瘧玫闹匾緩?。當前石墨烯產業化及應用的瓶頸性問題就是如何高效率、規?；?、低成本和環境友好地制備高質量石墨烯產品。

制備技術是石墨烯優異性能得以發揮的基礎關鍵問題，是石墨烯基礎創新的題中應有之義

2、石墨烯制備方法及分析對比

眾所周知，石墨烯分為石墨烯粉體和石墨烯薄膜兩大類。常見的石墨粉體生產的方法為機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法。石墨烯薄膜生產方法為化學氣相沉積法（CVD）。各種制備方法各具特點，在此不再贅述。表2為整理各種石墨烯工藝的特點比較以及應用端價值的評估（依據量產性與石墨烯結晶品質作為評估）。表3為中國石墨烯從業者制備石墨烯方法整理。

表2：各種制備方法分析對比

(資料來源：中央大學能源工程研究所，方象知產研究院整理)

表3：中國石墨烯從業者制備石墨烯方法分析對比

目前最容易實現高品質大面積單晶石墨烯的生長策略，首選還是化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD），具有成分、質量及尺寸可控的特點，是目前制備高質量大尺寸、最有希望實現產業化的方法。

表4：CVD法制備石墨烯技術解析表

專利分析視角為你解讀CVD制備技術路在何方

方象知產研究院選取最有可能實現產業化的CVD法制備石墨烯技術作為研究對象，重點研究了CVD法制備石墨烯技術全球申請趨勢，并對全球申請人進行排名，同時分析了此技術功效矩陣圖，從專利數量和專利布局的角度比較了全球CVD法制備石墨烯技術的研究實力，對目前發展現狀及未來趨勢進行分析。

3、CVD法制備石墨烯技術專利整體態勢分析

3.1全球專利申請量趨勢及技術生命周期

CVD法制備石墨烯技術領域全球專利申請量趨勢變化如圖1所示以及技術生命周期如圖2所示，全球專利申請總計890項。

圖1 CVD法制備石墨烯技術領域全球專利申請量趨勢變化圖（數據來源：方象知產研究院）

圖2  CVD法制備石墨烯技術生命周期圖

數據來源：方象知產研究院

由圖可以看出，自石墨烯在2004年被發現后，CVD法制備石墨烯技術的專利申請大門就打開了，雖然數量不多，但足以說明這種制備方法伴隨著石墨烯的問世就得到全球研究者的關注，在短短的14年時間里，其發展狀況可以大致分為兩個階段：

1）2004~2008年：初期發展階段。CVD 法制備石墨烯早在 20世紀 70年代就有報道，當時主要采用單晶 Ni 作為基體, 但所制備出的石墨烯主要采用表面科學的方法表征 , 其質量和連續性等都不清楚，隨后 , 人們采用單晶 Co 、Pt 、 Pd、 Ir 、Ru 等基體在低壓和超高真空中也實現了石墨烯的制備。2009年之前，石墨烯的制備技術還處于摸索階段，對于這種新發現的碳材料，其自身性能及機理還處于尚未被完全研究清楚和熟知時期，對于其生長機理及制備方法技術更是處于初始嘗試研究階段。因而開始的這5年時間，相關的申請量較少。

2）2009~至今：直到 2009年初 , 麻省理工學院的 J. Kong 研究組與韓國成均館大學的 B. H. Hong 研究組才利用沉積有多晶 Ni 膜的硅片作為基體制備出大面積少層石墨烯, 并將石墨烯成功地從基體上完整地轉移下來, 從而掀起了CVD法制備石墨烯的熱潮。相關專利申請量有非常明顯的增長；2010年，瑞典皇家科學院將諾貝爾物理學獎授予了石墨烯的兩位發明者，曼徹斯特大學科學家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫，再次使石墨烯成為了物理學和材料學關注和研究熱點，從而推動了CVD法制備石墨烯技術領域的研究。另外，隨著石墨烯市場的快速發展，在市場需求增長的同時對石墨烯的質量及性能有了更高的要求，從而使得CVD法制備石墨烯的研究掀起了新一輪的研究熱潮。在這一時期，相關專利申請快速增長，僅2012年申請量就達到了116項。2012年之后，全球專利數量出現下滑趨勢。

這是一個短期的共性技術瓶頸期，比如CVD法生成的大面積石墨烯中不可避免地含有晶界等拓撲缺陷，所得產品一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇（或晶粒）拼接而成的多晶材料，其二維結構中晶界的存在將不可避免地影響石墨烯性能。2013-2014年發展較為緩慢，應屬于技術難題突破期， 2014年后便出現了爆發式增長，2015年專利申請量高達423篇。2015年，中科院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊在國際上首次實現石墨烯單核控制形核和快速生長，成功研制1.5英寸石墨烯單晶，成功解決了石墨烯單個核心控制形核這一技術難題，專家認為，這項研究成果所發展的控制形核技術同時也為探索其他二維材料單晶晶圓的制備提供了全新思路。2015年之后的下滑趨勢原因可能有兩個：一是該技術還面臨一些工藝可控制備及石墨烯轉移技術等難題待突破；二是專利公開收錄的滯后，導致檢索到的專利數量較實際情況偏少。

3.2 申請人分析

圖3  CVD法制備石墨烯全球專利申請量排名前十位的申請人及其申請量

（方象知產研究院整理）

目前韓國申請人???專利申請量占據首位，數量高達377項，說明韓國對CVD法制備石墨烯的研究高度重視，并兼備創新優勢、研究實力和競爭力。我國CVD法制備石墨烯研究水平走在國際前列，高校申請人占絕對優勢，申請主體有中科院、西安電子科技大學、北京大學及哈工大；企業申請量最多的為三星電子，其次是無錫第六元素、東京電子、科寧玻璃。2016年我國俞大鵬院士研究團隊利用CVD方法在1000 oC左右熱解甲烷氣體，把多晶銅襯底上石墨烯單晶的生長速度提高了150倍，達到60 μm/s。這項重大突破的核心是把多晶銅片放置于氧化物襯底上（兩者之間的間隙～15 μm）。理論模擬計算證明，氧化物襯底能夠為銅片表面提供連續的活性氧，顯著降低了甲烷分解的勢壘（從1.57eV降低到0.62eV），從而能夠高效催化銅表面上的反應，提高石墨烯的生長速度。利用這種技術，他們能夠在5秒鐘內生長出300 μm的石墨烯大單晶疇。該研究結果對于可控、高速生長出更大尺寸的石墨烯單晶提供了必要的科學依據，因而具有重大的科學意義和技術價值。該研究成果于2016年8月8日在線發表在Nature Nanotechnology上。

3.3 CVD法制備石墨烯技術功效分析

圖4  CVD法制備石墨烯技術功效矩陣圖

方象知產研究院整理

從圖4中看出，CVD法制備石墨烯技術主要功效為工藝簡單易行、產品表面光滑品質高、有利于大面積生產，最有可能實現規?；a及成本低廉。且可直接得到石墨烯薄膜，再加工工藝簡單，是工業化中率先突破的一種工藝。

4、短評

目前大規模、高品質石墨烯的制備對科學界與工業界提出巨大挑戰，也是石墨烯在新能源、電子產品、半導體、光電子等領域應用的最大障礙。更高質量更高效率的石墨烯制備技術，正是發展石墨烯不可或缺的關鍵。CVD法制備石墨烯技術公認為生產石墨烯薄膜最有效方法。所獲石墨烯具有面積大和質量高的優勢，但還處于成本較高、工藝尚不完善、無法實現產業化階段。

首先，石墨烯形成機理研究還不夠深入，對制備的指導作用非常有限，目前的機理研究大都停留在宏觀層面，鮮有涉及微觀層面上解釋裂解碳如何形成石墨烯的核心問題。還需要多學科協作交叉、多方面多角度研究裂解碳原子的形成、沉積、成核成長動力學及熱力學規律，可利用AI計算模擬研究石墨烯形成的各中間體狀態、結構及成鍵情況，為相關研究提供數據支撐。必將大大提升CVD法制備石墨烯技術水平。

其次，實現制備工藝可控，例如單核控制形核和快速生長技術，基底預處理可減少石墨烯形核的據點密度，提供適當的碳源和速度以促進單片石墨烯的快速成長，避免含有晶界等拓撲缺陷而直接影響石墨烯性能。

最后，開發石墨烯的轉移：包括高效無損的轉移技術與免轉移技術，將石墨烯轉移到預期基底上是最大的實際問題之一，免轉移制備石墨烯技術既可提高石墨烯產率，又可提高其應用效率。石墨烯的未來發展方向是要致力于完成石墨烯的層數和尺寸的可控分級，實現分級后的石墨烯產品有針對性地應用在不同領域，才可以有效地發揮石墨烯的高附加值特性，降低應用成本，實現二維石墨烯新材料的大規模產業化應用，迅速推動我國在世界引領石墨烯的發展。大國重器必須掌握在我們自己手里，石墨烯制備技術的革新就是石墨烯相關產業核心、布局關鍵，是新材料領域的大國重器。

注釋：

[1] 劉云圻等. 《石墨烯:從基礎到應用》. 化學工業出版社, 2017:006-014.

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供稿：方象知產研究院

編輯：IPRdaily趙珍          校對：IPRdaily縱橫君

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